27pVE-2 InGaAsP系量子井戸レーザーにおける利得吸収スペクトルの温度依存性評価(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2009-03-03

著者

• 秋山 英文

  東大物性研

• 稲田 智志

  東大物性研

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