Ku帯衛星中継システム向けGaN FET固体化電力増幅器の開発(放送/一般)

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概要

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• Ku帯電力増幅FETとして世界最高出力となる50W級窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT)を電力増幅部に用いた、固体化電力増幅器(SSPA)を開発したので報告する。GaN FETは、増幅特性が非線形領域となる範囲が広く、3次相互変調積(IM3)の改善が欠かせないが、本装置では、バイアス条件の最適化によって、14.0〜14.5GHzの広帯域における送信出力50dBm(100W)のIM3が-25dBc以下となる性能を、-10〜45℃の周囲温度環境で達成している。また、多段のFETをカスケード接続したことによって生ずる温度利得変動を、補償する機能を具備している。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2009-03-06

著者

• 望月 亮

  株式会社東芝

• 加藤 孝男

  株式会社東芝

• 福島 竜也

  株式会社東芝

• 岩渕 浩昭

  株式会社東芝

• 山田 良男

  株式会社東芝

• 加藤 孝男

  東京女子医科大学医学部第二外科学

• 加藤 孝男

  (株)東芝放送システム技術部

• 加藤 孝男

  東京女子医科大学一般外科

• 加藤 孝男

  株式会社東芝 社会インフラシステム社府中事業所放送・ネットワークシステム部送信システム機器設計

• 加藤 孝男

  株式会社 東芝 社会インフラシステム社 府中事業所 放送・ネットワークシステム部送信システム機器設計担当

• 加藤 孝男

  株式会社東芝社会インフラシステム社府中事業所放送・ネットワークシステム部

• 望月 亮

  株式会社東芝府中事業所放送・ネットワークシステム部

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