770MHz 100W 模型MOSFET 2SK1739

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概要

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• A high performance, RF power MOS FET has been developed for broadcast equipment which can deliver over 100W of output power with 50% drain effeciency and 10 dB gain at 770 MHz. This high performance was achieved by employing high voltage structure which parameters was optimized by computer simulation multi-layer refractory metal gate, and direct grounded structure packageing technology.

• 社団法人映像情報メディア学会の論文
• 1991-02-08

著者

• 加藤 孝男

  株式会社東芝

• 遠藤 和夫

  東芝

• 加藤 孝男

  東京女子医科大学医学部第二外科学

• 加藤 孝男

  (株)東芝放送システム技術部

• 加藤 孝男

  (株)東芝

• 村上 功治

  東芝

• 田代 章

  東芝

• 村上 功治

  (株)東芝多摩川工場半導体技術部

• 遠藤 和夫

  (株)東芝多摩川工場半導体技術部

• 田代 章

  (株)東芝半導体システム技術センター

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