ヘテロ積層型フラーレンFETの性能と大気下安定性(TFT(有機,酸化物),一般)
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概要
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n型の有機電界効果型トランジスタの性能が大気下で急速に悪化する主な原因は、酸素や水によって形成される絶縁層界面の電子トラップであると考えられている。我々は、絶縁層とチャネル層間にアモルファス性のホール輸送性材料を挿入した「ヘテロ積層型FET構造」を用いることにより、フラーレンFETにおいて安定な大気下動作を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-04-16
著者
-
中山 健一
山形大学大学院理工学研究科
-
城戸 淳二
山形大学大学院理工学研究科
-
城戸 淳二
山形大学大学院理工学研究科有機デバイス工学専攻
-
楠 貴博
山形大学大学院理工学研究科
-
夫 勇進
山形大学大学院理工学研究科
-
中山 健一
山形大学大学院理工学研究科 有機デバイス工学専攻
-
夫 勇進
山形大学大学院理工学研究科 有機デバイス工学専攻
-
城戸 淳二
山形大学大学院理工学研究科 有機デバイス工学専攻
-
城戸 淳二
山形大学大学院 理工学研究科 有機デバイス工学専攻
-
夫 勇進
山形大学大学院 理工学研究科 有機デバイス工学専攻
-
城戸 淳二
山形大学大学院
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