プラズマ波動を用いた半導体測定
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概要
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Carrier properties of n-type InSb doped by tellurium at liquid nitrogen temperature have been investigated measuring the transmission of millimeter wave (119.3 GHz) through a sample placed along a magnetic field with intensity up to 4 T. In the n-type InSb, the millimeter wave injected with a linear polarization will suffer a rotation of its plane of polarization. This rotation angle serves as a function of the magnetic field containing the parameter of free career. Using such technique, the electron density and the effective mass in n-type InSb have been estimated.
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福井大学 | 論文
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