22pPSA-4 構造転移温度付近でのSi(111)微斜面上の吸着原子の流れによるステップバンチング : 入射・蒸発の効果(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2007-08-21

著者

• 佐藤 正英

  金沢大学総合メディア基盤センター

• 佐藤 正英

  金大総合メディア基盤センター

• 佐藤 正英

  金大総合メディア基盤セ

• 井川 健太

  金大自然

• 井川 健太

  金沢大自然

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