24aPS-112 拡散係数のギャップがある系での吸着原子の流れによるステップの不安定化II(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
20pXF-5 2つの拡散係数がある微斜面上におけるドリフト流によるステップの不安定化(結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
22pPSB-4 Si(111)微斜面上の構造転移温度付近における吸着原子の流れによるステップの蛇行 : ステップ平行方向の流れによる影響(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
29pPSB-3 拡散係数の異なる構造が共存する結晶表面の形態不安定性 : 吸着原子の流れによる効果(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
22pPSA-4 構造転移温度付近でのSi(111)微斜面上の吸着原子の流れによるステップバンチング : 入射・蒸発の効果(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
20aPS-3 Si(001)微斜面のバンチングでのカイネティク係数の効果(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
20aPS-4 拡散係数に差がある系におけるドリフトによるステップの不安定化(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
28aXJ-8 低温におけるSi(111)微斜面でのステップの不安定化(28aXJ 微粒子・クラスタ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
24aPS-112 拡散係数のギャップがある系での吸着原子の流れによるステップの不安定化II(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
スポンサーリンク