三次元フィンデバイスへのコンフォーマルドーピングとプレーナデバイス製造のために精密制御された極浅注入のためのB_2H_6/Heセルフレギュレーションプラズマドーピング技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

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概要

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• A new Self-Regulatory Plasma Doping (SRPD) technique with B_2H_6/Helium gas plasma has been successfully developed that provide conformal doping for fins and precise controllable ultra-shallow doping for planar FET. Manufacturing level of process controllability (<1% on dose) of the new SRPD has been realized, and advantage of the SRPD has been verified with FinFETs with metal/high-k gate stack and planar pMOSFETs for the first time. Short channel effect (SCE) improvement for FinFETs is clearly obtained. Dramatically I_<on> enhancement (+14% I_<on> at the I_<off> of 10^<-8> A/um vs. ion implant ref.) with SCE suppression for planar pMOSFETs is also realized.

• 2009-01-19

著者

• 小倉 基次

  パナソニック株式会社

• 中本 圭一

  株式会社ユー・ジェー・ティー・ラボ

• 佐々木 雄一朗

  株式会社ユー・ジェー・ティー・ラボ

• 岡下 勝巳

  株式会社ユー・ジェー・ティー・ラボ

• 北岡 太郎

  株式会社ユー・ジェー・ティー・ラボ

• 水野 文二

  株式会社ユー・ジェー・ティー・ラボ

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