ハイブリッドIGBTのセンス素子開発(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)

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概要

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• A new sense device structure is proposed for hybrid IGBTs in which current sense ratio (CSR) is constant for a wide range of collector currents. Although hybrid IGBTs have 2 different operation modes: MOS operation mode and IGBT operation mode, the new sense device structure allows maintaining a constant CSR for the entire range of collector currents. Moreover, CSR has low temperature dependence when the new sense device is adopted. As a result, collector current c can be controlled more stably over a wide temperature range (-50℃-125℃) even for hybrid IGBTs.

• 2008-10-16

著者

• 八谷 佳明

  パナソニック株式会社

• 山際 優人

  パナソニック株式会社

• 佐治 隆司

  パナソニック株式会社

• 金子 佐一郎

  パナソニック株式会社

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