高速ボディダイオードを有する電源用途800VハイブリッドIGBTの開発
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2007-10-25
著者
-
山際 優人
パナソニック株式会社
-
佐治 隆司
パナソニック株式会社
-
金子 佐一郎
パナソニック株式会社
-
金子 佐一郎
松下電器産業
-
山際 優人
松下電器産業
-
佐治 隆司
松下電器産業
-
高橋 理
松下電器産業
-
澤田 和幸
松下電器産業
関連論文
- ハイブリッドIGBTのセンス素子開発(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- ハイブリッドIGBTのセンス素子開発
- 高速ボディダイオードを有する電源用途800VハイブリッドIGBTの開発
- TC(Triple Conduction) 構造による700V横型MOSFETのドレイン耐圧特性の向上
- 待機電力を大幅に削減する電源用パワーIC
- TC (Triple Conduction) 構造による700V横型MOSFETの高効率化
- 待機電力を大幅削減できる電源用素子 (特集1 低消費電力化進む半導体デバイス)
- 高効率スイッチング電源制御技術の開発