光電界センサを用いたGTEMセル内の校正領域に関する検討(EMC対策/一般)
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概要
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本研究では,IEC61000-4-20に基づき,強電界プローブの校正におけるGTEMセル内の主電界成分の許容範囲に関する規定を提案し,その規定に従った強電界プローブの校正領域について検討を行った.電界測定において,測定環境に対する影響の少ない光電界センサを用いたが,光電界センサは強電界測定ができないため,校正領域を測定する前に,GTEMセル内における光電界センサを用いた測定システムの線形性およびセンサによる周囲への影響についての評価をする必要がある.この結果,本測定システムによる測定の線形性が保たれていることが確認できた.また,プローブによる周囲への電界影響についての評価の結果,強電界プローブに比べ,光電界センサの方が電界に対する影響が少ないことがわかった.さらに,光電界センサを用いたGTEMセル内の校正領域について検討した結果,プローブの校正における有効領域は中心位置から上下左右ともに10cmの領域と上方向10cm,左右方向ともに20cmの領域,この2つの領域で各周波数帯の誤差が最も少ないことが確認できた.そして,この2つの領域を強電界プローブの校正領域として提案した.また,GTEMセルの中心位置の電界測定において,電界強度の変動の大きい周波数帯では,提案した校正領域の誤差変動も大きいことがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-04-18
著者
-
石上 忍
情報通信研究機構EMCグループ
-
石上 忍
情報通信研究機構
-
松本 泰
独立行政法人情報通信研究機構
-
松本 泰
情報通信研究機構
-
後藤 薫
情報通信研究機構EMCグループ
-
後藤 薫
独立行政法人情報通信研究機構
-
後藤 薫
情報通信研究機構
-
呉 奕鋒
独立行政法人情報通信研究機構
-
呉 奕鋒
情報通信研究機構
-
石上 忍
独立行政法人・情報通信研究機構
-
石上 忍
独立行政法人情報通信研究機構電磁波計測研究所電磁波環境研究室
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