高Xe分圧PDPにおける誘電体溝構造の効果と発光特性(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
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概要
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高Xe分圧条件下でのPDPにおける低電圧化を目的として形成した誘電体溝構造について報告する。溝形成には3つの手法を用いた。その結果、従来の平坦な誘電体構造に対して溝構造では発光効率を損なうことなく低電圧化することができた。溝形状と発光効率には強い相関があることがわかった。
- 2008-01-17
著者
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山田 高士
(株)次世代pdp開発センター 集中研究所
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篠田 傳
広島大
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篠田 傳
(株)次世代pdp開発センター 集中研究所
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秋山 利幸
(株)次世代PDP開発センター 集中研究所
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野口 康幸
(株)次世代PDP開発センター 集中研究所
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四戸 耕治
(株)次世代PDP開発センター 集中研究所
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北川 雅俊
(株)次世代PDP開発センター 集中研究所
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富樫 孝宏
(株)次世代PDP開発センター 集中研究所
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