秋山 利幸 | (株)次世代PDP開発センター 集中研究所

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• 山田 高士

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著作論文

• 高Xe分圧下におけるPDPの発光特性の放電周期・電極幅依存性(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 高Xe分圧PDPにおける誘電体溝構造の効果と発光特性(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 高Xe分圧下におけるPDPの発光特性の放電周期・電極幅依存性
• 高Xe分圧PDPにおける誘電体溝構造の効果と発光特性
• SID2008報告 : Emissive Displays
• SID2008報告 : Emissive Displays(SID'08報告会)
• 高Xe分圧下におけるPDPの発光特性の放電周期・電極幅依存性 (情報ディスプレイ)
• 高Xe分圧PDPにおける誘電体溝構造の効果と発光特性 (情報ディスプレイ)
• 9-3 高Xe分圧放電PDPの誘電体溝構造による低電圧化(第9部門 情報ディスプレイ2)
• 9-2 高発光効率を実現する高Xe分圧ガス条件下の電極構造と波形条件(第9部門 情報ディスプレイ2)

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