不純物添加によるMgO保護膜の二次電子放出特性改善
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概要
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Xe^+による二次電子放出係数γ_(xe)を有するMgOベースの保護膜材料を合成し、AC-PDPにおける放電開始電圧に及ぼす効果について測定した。測定の結果、0.01オーダーの僅かなγ_(xe)の増加が放電開始電圧を減少させ、Xe成分が高くなるにつれてその効果が大きくなることが判明した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-07-17
著者
-
梶山 博司
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
内田 儀一郎
広島大
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篠田 傳
広島大
-
北垣 昌規
広島大学大学院先端物質研究科
-
内田 儀一郎
広島大学大学院先端物質科学研究料
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篠田 傳
広島大学大学院先端物質科学研究科
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篠田 傳
(株)次世代pdp開発センター 集中研究所
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梶山 博司
広島大 大学院先端物質科学研究科
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北垣 昌規
広島大学大学院先端物質科学研究科:タテホ化学工業株式会社基礎研究部
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梶山 博司
広島大学大学院先端物質研究科
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