ポリイミド絶縁膜のイミド化率によるペンタセンTFTの移動度への効果(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)

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概要

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以前、我々はSAM膜と同様に低表面エネルギー材料である、液晶の垂直配向膜を用い絶縁膜の表面修飾を行うことで移動度が向上することを報告した。今回は、配向膜の主鎖部のイミド化率が異なる数種類の材料を用いて絶縁膜の表面修飾を行い、イミド化率と有機TFT移動度との関係を調べた。その結果、イミド化率の上昇に伴いTFT移動度は低下することがわかった。また、この移動度変化の原因を調べるためAFM及びXRD測定を用い、各配向膜上のペンタセン結晶の形状及び結晶性の評価を行った。
2008-01-17

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