時間分解ラマン散乱によるアモルファスGeSe_2の光誘起結晶化過程の研究(修士論文(1987年度))
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概要
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アモルファスGeSe_2にバンドギャップ(2.2eV)付近の光を照射すると結晶化を起こす。この現象の機構の解明を目標として次のような実験を行った。ガラス基板上に蒸着したアモルファスGeSe_2薄膜に波長5145Aのアルゴンイオンレーザーを照射して結晶化を起こし、その経過を時間分解ラマン分光法で観測する。光誘起結晶のラマンスペクトルのピーク位置からレーザースポット直下の温度を推走できる。結晶化を起こすための照射光強度にはある下限(閾値)があり、それよりも弱い光では結晶化が起こらない。光照射中の試料の基板温度を約210℃、室温、90Kに保ちながら測定を行い、レーザースポット直下の温度及び励起光強度の閾値を求めた。レーザースポット直下の温度はガラス転移温度以下であると推定される。閾値は試料の温度を下げると大きくなる。これらのことはアモルファスの構造中に結晶のフラグメント様のクラスターが含まれているというモデルを支持する。
- 1988-10-20
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