A-11-2 SiO_2/Al電極/LiNbO_3構造を用いたSAW共振子の検討(A-11.超音波,一般講演)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-03-07
著者
-
中西 秀和
パナソニックエレクトロニックデバイス(株)
-
濱岡 陽介
パナソニックエレクトロニックデバイス(株)
-
中村 弘幸
パナソニックエレクトロニックデバイス(株)
-
岩崎 行緒
パナソニックエレクトロニックデバイス(株)
-
濱岡 陽介
パナソニック株式会社デバイス社
関連論文
- Differential EvolutionによるSAWフィルタの多目的最適設計
- 2P-27 SiO_2/Al/LiNbO_3構造を用いた良好な温度特性を有するSAW共振器の開発(ポスターセッション)
- 1Pb-29 SiO2膜を用いたSAWフィルタの高性能化(ポスターセッション)
- Differential Evolution によるSAWフィルタの多目的最適設計
- 1P5-1 SiO_2/Al/LiNbO_3構造を用いたBand IV用小型SAW デュプレクサの開発(ポスターセッション)
- 1-06P-37 SiO_2/IDT/LiNbO_3構造を用いた小型W-CDMA用SAWデュプレクサの開発(ポスターセッション 1)
- A-11-2 SiO_2/Al電極/LiNbO_3構造を用いたSAW共振子の検討(A-11.超音波,一般講演)
- 3P3-7 Ta_2O_5/Al/LiNbO_3構造を用いた高結合係数SAW共振器の開発(ポスターセッション)
- 3P3-6 FEM/SDAを用いたSiO_2/Al/LiNbO_3構造SAW共振器の解析(ポスターセッション)
- W-CDMA用小型弾性表面波デュプレクサの開発 (特集 部品・デバイス)
- 超音波デバイス 小型W-CDMA用SAWデュプレクサSiO2薄膜/Al電極/LiNbO3基板構造による高性能化
- AS-2-8 SiO_2/Al電極LiNbO_3構造を用いたBand I, IV用SAWデュプレクサの開発(AS-2.弾性波デバイスの現状と将来,シンポジウムセッション)
- SAWフィルタにおける電極構造と耐電力性の温度および印加電力依存性
- 2Pb3-4 形状制御されたSiO_2膜を有するSAW共振子の特性と基板のカット角の関係に関する研究(ポスターセッション)
- 2Pb3-6 零温度特性を有するSiO_2/Al/LiNbO_3構造SAW共振器の横モードスプリアス抑圧技術の開発(ポスターセッション)
- SAWフィルタにおける電極構造と耐電力性の温度および印加電力依存性
- 1Ja3-2 LiTaO_3基板共振器のSAW横方向漏洩の低減に関する研究(圧電デバイス)
- 2P3-3 SiO_2/Al/LiNbO_3基板における速い横波近傍に発生する不要応答に関する検討(ポスターセッション)