窒化リチウムとガリウムとの反応によるGaN結晶の作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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概要
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窒化リチウム(Li_3N)とガリウム(Ga)からGaNを作製するための新しい方法を検討した。GaとLi_3Nを0.2MPaのアンモニア雰囲気中で550℃から780℃で反応させることによりGaN結晶が得られることを見出した。この方法により得られたGaN結晶は六方晶ウルツ鉱型であり、その結晶サイズは約100μmであった。この手法は他の窒化物の合成に応用できると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-10-04
著者
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箕浦 秀樹
Environmental and Renewable Energy Systems Division, Graduate School of Engineering, Gifu University
-
杉浦 隆
Environmental And Renewable Energy System Division Graduate School Of Engineering Gifu University
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箕浦 秀樹
Environmental And Renewable Energy Systems Division Graduate School Of Engineering Gifu University
-
馬淵 彰
岐阜大大学院工学研究科環境エネルギーシステム専攻
-
平野 隆義
岐阜大大学院工学研究科環境エネルギーシステム専攻
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杉浦 隆
岐阜大大学院工学研究科環境エネルギーシステム専攻
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箕浦 秀樹
岐阜大大学院工学研究科環境エネルギーシステム専攻
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