窒化リチウムと酸化ガリウムとの反応による GaN 結晶の作製
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概要
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A novel synthetic route to preparation of GaN particles from Ga_2O_3 and Li_3N under milder condition than other conventional methods has been explored. We have found that a reaction of Ga_2O_3 and Li_3N at temperatures ranging from 500℃ and 700℃ in nitrogen atmosphere of 0.4 MPa yields a mixture of GaN and Li_2O powder, from which Li_2O is subsequently removed by dissolving the reaction products in water. The GaN single crystals prepared by this method were hexagonal wurtzite type, no cubic phase was found. The crystal sizes were about 1μm. This technique seems to have applicability also for the synthesis of other nitride particles.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 2005-04-01
著者
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箕浦 秀樹
Environmental and Renewable Energy Systems Division, Graduate School of Engineering, Gifu University
-
箕浦 秀樹
岐阜大学大学院工学研究科
-
杉浦 隆
Environmental And Renewable Energy System Division Graduate School Of Engineering Gifu University
-
安田 英二
岐阜大学大学院工学研究科
-
箕浦 秀樹
Environmental And Renewable Energy Systems Division Graduate School Of Engineering Gifu University
-
馬淵 彰
岐阜大大学院工学研究科環境エネルギーシステム専攻
-
馬淵 彰
岐阜大学大学院工学研究科
-
岩瀬 悠里子
岐阜大学大学院工学研究科
-
杉浦 隆
岐阜大学大学院工学研究科
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