スピントンネル素子のAl薄膜における熱酸化の研究(磁気記録に関わる材料及びシステムの開発と評価)
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概要
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本研究では純酸素雰囲気中で熱酸化することにより絶縁層AlO_xを作製し、その絶縁層の組成比を調べた。また熱酸化法で作製した絶縁層AlO_xを有するスピントンネル(TMR)素子の電気的特性の測定を行った。熱酸化温度を高くすると絶縁層AlO_xの組成が室温のAlO_2からAl_2O_3に変化する。比誘電率の値がバルクのAl_2O_3の値に近づくことからも裏付けられる。また酸化温度を高くするとTMR素子の抵抗は大きくなる。絶縁層のバリアは高くなりより均一になった。その結果室温で作製した絶縁層とは異なる絶縁破壊を示すことを明らかにした。
- 2006-06-29
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