5-1 金属被覆FEAの電界放出電流特性
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概要
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We fabricated the Field Emitter Arrays with n-type silicon wafers, and those covered them with W and Cr. The applied voltage for field emission from FFAs covered with W and Cr are lower than that from Si-FEA. Native oxide layer prevent from emitting.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1996-07-17
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