23-7 a-Si薄膜フォトトランジスタを用いた密着型二次元イメージセンサの検討
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概要
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A two-dimensional contact-type image sensor is proposed. The pixel of the proposed sensor comprises of an amorphous silicon photo-transistor(APT), a storage capacitor and a thin film transistor(TFT). Since the APT is fabricated using a processing technology compatible with conventional TFTs, it is possible to fabricate a document size two-dimensional sensor. A prototype of the pixel (160μm × 160μm) was fabricated. We confirmed its storage operation of carriers which consists of discharge at a storage capacitor due to photogenerated carriers by an APT and recharge through a TFT pixel switch. These results indicate that a large-area, two-dimensional image sensor with APT and TFT arrays is feasible and promising.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1992-07-28
著者
-
山口 宗明
(株)日立製作所中央研究所
-
金子 好之
(株)日立製作所 中央研究所
-
金子 好之
日立製作所中央研究所
-
山口 宗明
日立製作所 中央研究所
-
筒井 謙
日立
-
筒井 謙
日立製作所中央研究所
-
金子 好之
日立 中研
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