密着型2次元イメージセンサの設計
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概要
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近年,画像情報の重要性増加と共に画像入力装置が注目されてきた.この画像入力装置の小型化,薄型化をねらい,密着型センサの2次元化の研究が進められている.筆者らは,非晶質シリコンホトトランジスタ(Amorphous Silicon Photo-transistor:APT)を用いた密着型2次元イメージセンサの開発を行ってきた.本論文では,密着型2次元イメージセンサの設計手法の検討を行った.センサの基本動作である蓄積動作に焦点を当て,蓄積動作の解析を行い,その解析結果を用いてSN比を大きくとれるAPTのチャネル幅Wとチャネル長Lの最適比を得ることのできる設計手法を確立した.更に,試作センサとの蓄積電荷の露光量依存性の比較を行い,設計手法の妥当性を検証した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-05-25
著者
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