a-Siフォトトランジスタを用いた密着型二次元イメージセンサ : 固体撮像関連 : 情報入力 : コンシューマエレクトロニクス
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概要
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We propose a novel two-dimensional contact-type image sensor using amorphous silicon photo-transistors (APTs) in order to form a compact image scanner. Each pixel of the sensor consists of an APT, a storage capacitor, and an amorphous silicon thin-film transistor (a-Si TFT). We have made a prototype 140 × 240-pixel sensor with a pixel size of 160 μm square. It is confirmed that the prototype APT sensor can detect an image under room light. Exposure for gray scale images is in the range of 10^<-1> to 7 lx・s. This TFT-switched, two-dimensional contact-type image sensor is promising for large-area applications because the process for APTs is fully compatible with that for conventional a-Si TFTs.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1993-03-04
著者
-
山口 宗明
(株)日立製作所中央研究所
-
金子 好之
(株)日立製作所 中央研究所
-
筒井 謙
日立
-
山口 宗明
株式会社日立製作所中央研究所
-
金子 好之
株式会社日立製作所中央研究所
-
筒井 謙
株式会社日立製作所中央研究所
-
金子 好之
日立 中研
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