しきい電圧のばらつきに依存しないCMOS基準電流源回路の検討(信号処理,LSI,及び一般)
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概要
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本稿では,しきい電圧のばらつきに対して不感なCMOS基準電流源回路を提案する.提案回路ではMOSFETをゼロ温度係数点で動作させ,温度に依存しない基準電流を得る.ゼロ温度係数点のゲート・ソース間電圧はしきい電圧の変動に依存してしまうため,しきい電圧の変動に合わせて変化する電圧を生成する.しきい電圧がばらついた場合でも,常にMOSFETをゼロ温度係数点で動作させることができ,しきい電圧のばらつきに対して不感な電流源回路を実現した.提案回路を構成しているMOSFETのしきい電圧が等しいとき,しきい電圧のばらつきに対して依存性を低減できる構成である.しきい電圧のばらつきに対する影響を評価するため,基準温度T_oでのしきい電圧V_T(T_o)に±10%のばらつきを与え提案回路をシミュレーションを行う.出力電流I_<ref>の変動は±0.39%以内となり,しきい電圧のばらつきに依存しない電流を実現する.温度が-25℃から125℃まで変動したときの微分温度係数は86.8ppm/℃であり,電源電圧が2.5Vから3.5Vまで±0.5V変動したときの出力電流の変動は±2.9%である.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-15
著者
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