弱反転領域の動作を利用した2段積み構成の電圧減衰回路
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概要
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弱反転領域で動作するMOSFETを用いた電圧減衰回路を提案し,実測による特性解析を行う.MOSFETを縦積みにすることで,弱反転領域における温度依存性が低く,消費電力の少ない回路を実現できる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-02-01
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