弱反転領域で動作するMOSFETを用いた2段積み構成回路における基板効果補償手法
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
A parameter extraction circuit for MOSFET operating in weak inversion region is proposed. The extracted device parameter related with body effect for MOSFET is a coefficient of gate voltage degradation in a device model function deriving from the diffusion current of pn junction. With the parameter extraction circuit, the effect of gate voltage potential in MOS diode part can be controlled to be equal to that of reverse biased pn junction. So the degradation related with body effect can be compensated in spite of the different voltage between a source terminal and a bulk terminal. The proposed parameter extraction circuit can be applicated to two MOSFETs voltage subtractor and voltage follower operating under low power supply in order to compensate the body effect for MOSFETs. The characteristics of the extraction circuit fabricated with a standard 0.18μ m n-well CMOS technology are measured to investigate the basic principle. The thermal chracteristics are also measured. Measured characteristics of the proposed circuit fit to the theoretical chracteristics exactly.
- 2009-08-01
著者
関連論文
- 弱反転領域で動作するMOSFETを用いた2段積み構成回路における基板効果補償手法
- 弱反転動作のMOSFETによる2段積み構成の微小電源電圧駆動PTAT電圧発生回路
- 3-4 アナログ集積回路の低電圧化(3. 女性技術者・研究者はこんなことをしています, 女性会員に期待する)
- 2. 座談会 女性会員を取り巻く環境はこんなです(女性会員に期待する)
- MOSFETの弱反転領域を利用した温度センサ回路
- 弱反転領域動作MOSFETにおけるMOSダイオードの表面ポテンシャルを考慮した4端子モデルの一考察
- PTAT電圧発生回路を用いたCMOSディジタル回路のリーク電流の削減
- オフ状態におけるMOSFETのリーク電流の考察及び低リークMOSFETスイッチ
- 弱反転領域動作CMOSインバータ電圧検出器の動作解析及び検出電圧の設計に関する考察
- FEBT動作によるMOSカレントミラー誤差の一考察
- 弱反転領域で動作するMOSFETを用いたカレントミラー回路の動作解析
- 電界効果バイポーラトランジスタを用いた弱反転動作MOSFETの特性改善手法
- 2005 IEEE International Symposium on Circuits and Systems(2005年IEEE回路とシステムに関する国際会議)
- A-1-25 アナログMOSFETスイッチのリーク電流低減法(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- MOSFETにおけるリーク電流低減に関する一考察
- 電源端子入力型CMOSインバータを用いた電圧検出器の温度依存性について
- 弱反転領域で動作するMOSFETを用いたPTAT回路の検討
- 電流コンパレータを用いたCMOS温度-パルス幅変換回路 (第21回 回路とシステム軽井沢ワークショップ論文集) -- (センサ)
- 微小電流で動作する低消費電力電圧検出器の検討
- しきい電圧のばらつきに依存しないCMOS基準電流源回路の検討(信号処理,LSI,及び一般)
- 二段積みパイプラインADCの精度に関する検討
- Δ〓変調器を用いたPDM変換によるDC-DCコンバータ
- 弱反転領域で動作するMOSFETを用いた温度センサ回路
- 低歪み電圧電流変換回路における移動度変調効果に関する検討
- A-1-15 二段積みOTAにおける入力ダイナミックレンジの改善
- 誤差電流打ち消し法を用いた低歪みOTA
- 誤差電流打ち消し法を用いた低電圧 Rail-to-Rail OTA
- しきい電圧のばらつきに依存しないCMOS基準電流源回路の検討(信号処理,LSI,及び一般)
- しきい電圧のばらつきに依存しないCMOS基準電流源回路の検討(信号処理,LSI,及び一般)
- シングルウェル構成によるマッピング回路
- CMOSインバータを用いたカオス発生回路と内部状態の観察
- 電流源を共用したデプリーション形MOSボルテージホロワ
- 電流源を共用したデプリーション形MOSボルテージホロワ
- CMOSFETにおけるゲート電圧劣化係数の一考察と抽出回路の実現
- A-1-26 弱反転領域で動作するMOSFETのドレイン電流の一考察(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- 正負の温度係数を有する電流を組み合わせたCMOS基準電源回路
- 2段積み〓〓ADCによるDC-DCコンバータ
- A-1-10 低歪み2段積み電流減算回路を用いた乗算器(A-1. 回路とシステム)
- 電流源を共用したディプリーション形MOSボルテージホロワ
- 二段積み構成を用いた低電圧CMOS演算増幅器
- 2段積み構成を用いた演算増幅器における電源電圧変動除去比の改善
- A-1-28 弱反転領域で動作するMOSFETを用いたOPアンプ
- 2段積みMOSFET構成の電圧平均回路
- 2段積みMOSFET構成の電圧平均回路
- 2段積みMOSFETで構成する低電源電圧OTA
- テール電流源をもたない低電源電圧OTA
- 低電源電圧駆動CMOSスイッチ
- 大信号MOSアナログインバータとその応用
- ディプリーションモードMOSボルテージホロワ負荷特性
- MOSボルテージホロワとそのSCフィルタへの応用
- リファレンス回路を適用したCMOS温度-電圧変換回路
- MOSFETのドレイン電流温度依存性を利用したオンチップ温度センサ
- DC-DCコンバータに適した二段積み構成による低電圧〓〓ADC
- 二段積みMOSFET構成による〓ΣA/D変換回路の一考察
- 集積回路を用いた小電力ワイヤレス給電
- 多段構成PTAT電圧発生回路の温度係数向上のためのバルク電圧制御手法
- FEBT動作によるOTAのg_m改善の検討
- 弱反転動作MOSFETを用いた微小振幅信号の整流回路の一考察
- 弱反転領域と線形領域を用いたCMOS基準電圧発生回路の設計手法および理論式による検討
- 弱反転領域と線形領域を用いたCMOS基準電圧発生回路
- 温度補償技術を用いた弱反転領域で動作するCMOS演算増幅器
- 弱反転領域動作のMOSFETを用いた低消費電力演算増幅器
- 弱反転領域の動作を利用した2段積み構成の電圧減衰回路
- 弱反転領域の動作を利用した電圧減算回路
- 集積回路化に適した非線形写像回路の一構成法
- ゼロ温度係数点を用いたCMOS基準電流発生回路の検討
- 2段積み構成による低電圧CMOSアナログ乗算器
- 2段積み構成によるスイッチトキャパシタフィルタの低電圧化
- 微小電源電圧駆動PTAT電圧発生回路を用いた温度依存性の小さい電流・電圧発生回路
- 微小電源電圧駆動PTAT電圧発生回路を用いたCMOSインバータ電圧検出器の温度依存の低減
- 低電圧パイプラインA/D変換器の一構成
- 二段積みMOSFET構成によるパイプラインA/D変換回路
- 基板効果を利用した低リークMOSスイッチ
- A-1-11 擬似指数関数発生回路を用いた電圧制御発振器(A-1. 回路とシステム)
- A-1-7 MOSFETを用いた低電圧基準電圧発生回路(A-1. 回路とシステム)