25aWB-4 大規模電子構造計算における局所状態密度 : 半導体表面ステップ構造への応用(表面・界面電子物性(理論・シミュレーション),領域9(表面・界面, 結晶成長))

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概要

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• 2005-03-04

著者

• 星 健夫

  東大工

• 藤原 毅夫

  東大工

• 藤原 毅夫

  東大・大総セ:jst-crest

• 星 健夫

  鳥取大理:jst-crest

• 高山 立

  東大工

• 高山 立

  東大工:act-jst

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