星 健夫 | 東大工
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概要
関連著者
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星 健夫
東大工
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藤原 毅夫
東大工
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星 健夫
鳥取大理:jst-crest
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藤原 毅夫
東大・大総セ:jst-crest
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高山 立
東大工:act-jst
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高山 立
ACT-JST(JST)
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井口 雄介
東大工
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山元 進
東京工科CS
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山元 進
東京工科cs:jst-crest
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品岡 寛
東大工
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山元 進
東大工
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石井 靖
中大物理
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宮田 正靖
セイコーエブソン研究開発本部
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宮田 正靖
東大工
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下司 雅章
東大工
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張 紹良
名古屋大学大学院工学研究科
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曽我部 知広
愛知県立大学
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張 紹良
名古屋大学
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曽我部 知広
東大工
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張 紹良
東大工
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石井 靖
姫工大理
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大谷 寛明
核融合科学研究所シミュレーション科学研究部新領域シミュレーション研究系:総合研究大学院大学物理科学研究科
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大谷 寛明
核融合科学研究所シミュレーション科学研究部
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大谷 寛明
核融合研
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石井 靖
姫大理
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高永 照久
姫工大理
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大谷 寛明
東大工
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高山 立
東大工
著作論文
- 15aTB-3 大規模電子構造計算のための線形数値計算アルゴリズム(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
- 26pYH-5 ナノメートルスケール金属ワイヤにおける非平衡電流の構造依存性(26pYH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pXJ-9 ナノメートルスケール金属ワイヤを流れる非平衡電流の電子構造計算(30pXJ ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYE-11 非平衡Green関数を用いた金属ワイヤの電極効果の電子構造計算(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26a-Q-13 イオン系と電子系の動的なカップリングによるNa_4(Sn_4)の半導体-絶縁体転移
- 1p-YT-11 液体金属合金の第一原理分子動力学シミュレーション
- 21pYE-10 ナノ金属系における大規模電子構造計算(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 14pXG-11 半導体へき開プロセスの電子論描像 : 表面再構成・異方的ひずみ・ステップ形成の競合(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 28aWP-10 大規模電子構造計算によるシリコン単結晶へき開シミュレーション(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 25aWB-4 大規模電子構造計算における局所状態密度 : 半導体表面ステップ構造への応用(表面・界面電子物性(理論・シミュレーション),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 23aTE-8 オーダーN電子構造計算とワニア関数描像
- 28pWM-10 クリロフ部分空間法を用いた大規模系の電子構造計算による分子動力学シミュレーション(電子系)(領域11)
- 23aWD-6 連分数法を用いたハイブリッド電子構造計算による分子動力学シミュレーション
- 29aWJ-11 連分数法・摂動法によるハイブリッドオーダー N 電子構造計算
- 18aTG-5 オーダーN電子構造計算を用いたSiクラックのシミュレーションと局在1電子軌道描像
- 6p-YH-7 大規模な第一原理電子構造計算にむけて : 実空間基底とオーダーN法
- 30p-YH-13 実空間差分と非直交局在軌道を用いた第一原理電子構造計算法
- 実空間差分を用いた第一原理分子動力学法
- 28a-D-11 実空間時間発展方程式を用いた第一原理分子動力学法
- 7aTC-2 オーダーN電子構造計算の並列化と大規模系への応用(電子系,量子スピン系,領域11)
- 26pXR-4 オーダーN電子構造計算による半導体脆性破壊プロセス(26pXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))