24aPC-63 Photoluminescence spectroscopy and exciton relaxation of GaN with dislocations(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2005-03-04
著者
関連論文
- 5p-F-3 タイプIIGaP/AlP/GaP量子井戸の電子状態
- 28a-ZH-8 GaAs/AlInP量子井戸のバンドオフセット
- 22pPSA-45 InAs 量子ドット中の励起子緩和におけるボトルネック効果
- 12aXD-8 GaAs 単一量子ドットにおけるフォトルミネッセンススペクトルの磁場依存性(微粒子・ナノ結晶, 領域 5)
- 23PWB-5 GaAs 量子ドットのエネルギー準位構造の解析
- 23PWB-5 GaAs 量子ドットのエネルギー準位構造の解析
- 半導体における光第2高調波の共鳴発生
- 超短パルスレーザーを用いた半導体中の励起子における四光波混合
- 24aPC-63 Photoluminescence spectroscopy and exciton relaxation of GaN with dislocations(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 30pPSA-48 マスクを用いた低密度量子ドット顕微分光スペクトル
- 27pYA-3 GaAs/AlGaAs多重量子井戸における光誘起ファラデー回転現象
- 20pPSA-26 GaAs系半導体の20フェムト秒ポンプ-プローブ分光(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 7pPSA-73 マスクを用いた量子ドット顕微発光信号の観測(領域5)