超短パルスレーザーを用いた半導体中の励起子における四光波混合

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概要

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パルス幅が300フェムト秒の超短パルスレーザーを用いて半導体励起子における四光波混合を行った。層状化合物半導体GaSeの位相緩和時間は〜4ピコ秒であり、位相緩和過程は励起子-フォノン、励起子-励起子の衝突によるものであることがわかった。また、四光波混合信号中に量子ビートを観測した。このビート周期は1.9ピコ秒であり、これは2.2meVのエネルギーに相当する。これはΓ_4とΓ_6励起子間の分裂エネルギーである。さらに四光波混合の偏光体存性を測定した。励起偏光間の角度をψとしたとき、信号光強度はcos^2ψに比例し、偏光は第二パルスと同じであった。これは信号がΓ_6励起子からのものであるということを示している。
1995-06-21

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