単一電子トランジスターを用いたサブミリ波単一光子検出
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概要
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GaAs/AlGaAsヘテロ構造結晶上に作られた並列ダブル量子ドットからなる単一電子トランジスターを用いてサブミリ波領域の単一光子検出に成功した。ダブルドットの一つの量子ドットはサブミリ波によってコーンモードープラズマ励起を介してイオン化し、その電荷変化をもう一つの量子ドットのSET伝導度として増幅することによりサブミリ波単一光子の信号を得る。この検出による雑音等価電力(NEP)は温度70mK下で波長約0.5mmにおいて10^<-20>W/Hz^<1/2>に達する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-02-15
著者
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