InAlAs/InGaAs Metamorphic High Electron Mobility Transistors on GaAs Substrate : Influence of Indium Content on Material Properties and Device Performance
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1999-02-28
著者
-
Ferre Denise
Lspes Ura 234 Universite Des Sciences Et Technologies De Lille
-
CORDIER Yvon
Institut d'Electronique et de Microelectronique du Nord, U.M.R.-C.N.R.S 9929, Avenue Poincare, Unive
-
BOLLAERT Sylvain
Institut d'Electronique et de Microelectronique du Nord, U.M.R.-C.N.R.S 9929, Avenue Poincare, Unive
-
ZAKNOUNE Mohammed
Institut d'Electronique et de Microelectronique du Nord, U.M.R.-C.N.R.S 9929, Avenue Poincare, Unive
-
DEPERSIO Jean
LSPES, URA 234, Universite des Sciences et Technologies de Lille
-
Cordier Yvon
Institut D'electronique Et De Microelectronique Du Nord U.m.r.-c.n.r.s 9929 Avenue Poincare Uni
-
Depersio Jean
Lspes Ura 234 Universite Des Sciences Et Technologies De Lille
-
Bollaert Sylvain
Institut D'electronique Et De Microelectronique Du Nord U.m.r.-c.n.r.s 9929 Avenue Poincare Uni
-
Zaknoune Mohammed
Institut D'electronique Et De Microelectronique Du Nord U.m.r.-c.n.r.s 9929 Avenue Poincare Uni
-
Cordier Yvon
Institut d'Electronique et de Microélectronique du Nord, U.M.R.-C.N.R.S 9929,
-
Bollaert Sylvain
Institut d'Electronique et de Microélectronique du Nord, U.M.R.-C.N.R.S 9929,
-
Zaknoune Mohammed
Institut d'Electronique et de Microélectronique du Nord, U.M.R.-C.N.R.S 9929,
関連論文
- InAlAs/InGaAs Metamorphic High Electron Mobility Transistors on GaAs Substrate : Influence of Indium Content on Material Properties and Device Performance
- InAlAs/InGaAs Metamorphic High Electron Mobility Transistors on GaAs Substrate: Influence of Indium Content on Material Properties and Device Performance