Zaknoune Mohammed | Institut d'Electronique et de Microélectronique du Nord, U.M.R.-C.N.R.S 9929,
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概要
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- 同名の論文著者
- Institut d'Electronique et de Microélectronique du Nord, U.M.R.-C.N.R.S 9929,の論文著者
関連著者
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Ferre Denise
Lspes Ura 234 Universite Des Sciences Et Technologies De Lille
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Zaknoune Mohammed
Institut D'electronique Et De Microelectronique Du Nord U.m.r.-c.n.r.s 9929 Avenue Poincare Uni
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Cordier Yvon
Institut d'Electronique et de Microélectronique du Nord, U.M.R.-C.N.R.S 9929,
-
Bollaert Sylvain
Institut d'Electronique et de Microélectronique du Nord, U.M.R.-C.N.R.S 9929,
-
Zaknoune Mohammed
Institut d'Electronique et de Microélectronique du Nord, U.M.R.-C.N.R.S 9929,
-
CORDIER Yvon
Institut d'Electronique et de Microelectronique du Nord, U.M.R.-C.N.R.S 9929, Avenue Poincare, Unive
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BOLLAERT Sylvain
Institut d'Electronique et de Microelectronique du Nord, U.M.R.-C.N.R.S 9929, Avenue Poincare, Unive
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ZAKNOUNE Mohammed
Institut d'Electronique et de Microelectronique du Nord, U.M.R.-C.N.R.S 9929, Avenue Poincare, Unive
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DEPERSIO Jean
LSPES, URA 234, Universite des Sciences et Technologies de Lille
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Cordier Yvon
Institut D'electronique Et De Microelectronique Du Nord U.m.r.-c.n.r.s 9929 Avenue Poincare Uni
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Depersio Jean
Lspes Ura 234 Universite Des Sciences Et Technologies De Lille
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Bollaert Sylvain
Institut D'electronique Et De Microelectronique Du Nord U.m.r.-c.n.r.s 9929 Avenue Poincare Uni
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Dipersio Jean
LSPES, URA 234, Université des Sciences et Technologies de
-
Dipersio Jean
LSPES, URA 234, Université des Sciences et Technologies de
著作論文
- InAlAs/InGaAs Metamorphic High Electron Mobility Transistors on GaAs Substrate : Influence of Indium Content on Material Properties and Device Performance
- InAlAs/InGaAs Metamorphic High Electron Mobility Transistors on GaAs Substrate: Influence of Indium Content on Material Properties and Device Performance