Crystal Growth of Bi_4Ge_3O_<12> and Heat Transfer Analyses of Horizontal Bridgman Techniques

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概要

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• 社団法人応用物理学会の論文
• 1993-04-15

著者

• 河野 勝泰

  電通大

• Yoshida T

  Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Takushoku University

• Yoshida Tomio

  Information Equipment Research Laboratory Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.

• YAMADA Noboru

  Department of Applied Physics, Faculty of Engineering, Tohoku University

• Yoshida Toshiyuki

  Research Center For Interface Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Information

• Sumita M

  Department Of Natural Science Faculty Of Engineering Shibaura Institute Of Technology

• Sumita M

  Department Of Electronics Engineering The University Of Electro-communications

• Sumita Minoru

  The University Of Electro-communications

• Yamada N

  Av Core Technology Development Center Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.

• Nakata R

  Univ. Electro‐communications Tokyo

• KAWANO Katsuyasu

  Department of Electronics Engineering, The University of Electro-Communications

• YOSHIDA Toshiyuki

  Department of Electronics Engineering, The University of Electro-Communications

• NAKATA Ryouhei

  Department of Electronics Engineering, The University of Electro-Communications

• SUMITA Minoru

  Department of Electronics Engineering, The University of Electro-Communications

• Nakata Ryouhei

  Department Of Electrical Engineering The University Of Electro-communications

• NAKATA Rouhei

  The University of Electro-Communications

• Yoshida T

  Fukuoka Univ. Fukuoka Jpn

• Yamada Noboru

  Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering Tohoku University

• Kawano Katsuyasu

  Department Of Applied Physics Osaka City University:absence Of The University Of Electro-communicati

• Yamada Noboru

  Department of Applied Physics and Chemistry, The University of Electro-Communications

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