Temperature Dependence of Resistivities in TiS_2 and Its Cu-Intercalate
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概要
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The electrical resistivities of a layered dichalcogenide TiS. and its Cu-intercalatewere investigated in the temperature range 100 K to 350 K. The a-axis resistivity of theCu-intercalate showed a linear temperature dependence rather than the T'-dependence reported in TiS.. With increasing x in Ti...S. and Cu.TiS., bothresistivities and their slopes decrease with temperature, while the carrier concentra-Lions enlarge up To metallike orders of 10" cm '. This origin is discussed on a corn-mon basis of the slow transition from electron-electron to electron-phonon scatter-ings which is due to the increase of conduction electrons of the intercalated Cu metalas well as the self-intercalated Ti metal.
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1989-03-15
著者
-
河野 勝泰
電通大
-
Sumita M
Department Of Natural Science Faculty Of Engineering Shibaura Institute Of Technology
-
Sumita M
Department Of Electronics Engineering The University Of Electro-communications
-
Sumita Minoru
University Of Electro-communications
-
Sumita Minoru
The University Of Electro-communications
-
KAWANO Katsuyasu
University of Electro-Communications
-
Nakata R
Univ. Electro‐communications Tokyo
-
Nakata Ryouhei
University of Electro-Communications
-
NAKATA Rouhei
The University of Electro-Communications
-
Takahashi Jun'ichi
The University Of Electro-communications
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