ゲート蓄積型MOSフォトトランジスタイメージセンサ(<論文特集>固体撮像技術)
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概要
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新しいMOS型フォトトランジスタCMDの受光素子としての特性を測定し, これにもとづき画素寸法14μm(H)×16μm(V), 画素数192(H)×165(V)のCMD撮像素子を試作, 評価した.この結果, 本デバイスは, ブルーミング耐性が200倍以上, 次フィールドでの残像が0.6%以下と良好な撮像特性を示すことがわかった.さらに, 分光感度特性が比視感度特性に近く, また, 画素の小型化が比較的容易であることを示した.これらのことから本デバイスは次世代の固体撮像素子として有望であると思われる.
- 1987-11-20
著者
-
日向 良二
オリンパス
-
松本 一哉
オリンパス光学工業(株)半導体技術センター
-
中村 力
オリンパス光学工業(株)半導体技術センター
-
大石 泰広
オリンパス光学工業(株)半導体技術センター
-
松本 一哉
オリンパス光学工業株式会社応用研究部
-
中村 力
オリンパス光学工業株式会社応用研究部
-
中村 力
オリンパス
-
遊佐 厚
オリンパス光学工業株式会社半導体技術センター
-
日向 良二
オリンパス光学工業(株)mc技術部
-
松本 一哉
オリンパス光学工業 研開セ
-
遊佐 厚
オリンパス光学
-
日向 良二
オリンパス光学
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