垂直二層膜媒体における単磁極ヘッド磁界勾配と転移パラメータに関する検討
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概要
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垂直二層膜媒体における単磁極ヘッド磁界勾配と磁化転移パラメータの関係を計算機シミュレーションにより評価した。磁界勾配が大きくなるに従って磁化転移幅が単調に小さくなることが明らかとなった。また、媒体側には粒子間交換相互作用が大きいほど急峻な磁化転移が形成できることも示した。次に、ヘッド構造の工夫として、主磁極トレーリング側にリターンパスを配置することで、磁界勾配の改善結果を確認した。形成した孤立磁化転移を調べ、現在使っているヘッドを用いた際の転移幅X_<50>が19.67nmであるのに対して、既存のヘッド作製プロセスで作製可能と思われるヘッドではX_<50>が9.83nmであり、理想ヘッド構造を用いればX_<50>が5.84nmとなることを予測した。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2001-12-14
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