低温プロセスPoly-Si TFTの低リーク電流化 : 情報ディスプレイ,無線・光伝送,画像通信システム,画像応用
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概要
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The leakage-current characteristics of laser induced crystallized ploy-Si TFT fabricated below 450℃ have been investigated. The trap state density of laser induced crystallized poly-Si is almost the same as poly-Si fabricated around 600°. Reduction of the leakage-current was realized at higher signal voltage by the geometrical optimization. The improved characteristics permit to apply higer signal voltage for addressing pixels of normary white TN and LC/Polymer composite mode.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1992-01-31
著者
-
欅田 昌也
旭硝子株式会社電子事業本部電子技術開発研究所
-
増茂 邦雄
旭硝子株式会社電子事業本部電子技術開発研究所
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欅田 昌也
旭硝子(株)中央研究所
-
増茂 邦雄
旭硝子(株)中央研究所
-
結城 正記
旭硝子(株)中央研究所
-
遠藤 幸雄
旭硝子(株) 中央研究所
-
結城 正記
旭硝子株式会社 電子技術開発研究所
-
赤塚 實
旭硝子(株) 中央研究所
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