イオンフラックスドープ・セルフアライン技術による低温プロセスpoly Si TFT-LCD : 情報入力,情報ディスプレイ
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概要
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The self-aligned poly-Si TFTs have been fabricated on glass substrates at a low temperature below 450℃ by a new method. which consists of two techniques : the laser induced crystallization of PECVD amorphous silicon and an ion doping process that utilizes a large diameter ion beam with non mass separation and following low temperature activation anneal. The optical performances of the LC-TVs by this method were studied and compared to those of the inverted staggered TFT LC-TVs.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1991-06-27
著者
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欅田 昌也
旭硝子株式会社電子事業本部電子技術開発研究所
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増茂 邦雄
旭硝子株式会社電子事業本部電子技術開発研究所
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欅田 昌也
旭硝子(株)中央研究所
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浅川 辰司
旭硝子(株)中央研究所
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増茂 邦雄
旭硝子(株)中央研究所
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結城 正記
旭硝子(株)中央研究所
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高藤 聡
旭硝子(株) 中央研究所
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結城 正記
旭硝子株式会社 電子技術開発研究所
-
赤塚 實
旭硝子(株) 中央研究所
-
白倉 広文
旭硝子(株) 中央研究所
-
浅川 辰司
旭硝子(株) 中央研究所
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