高速走査Arレーザアニールによる低温プロセスpoly-Si TFT
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概要
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a-Si TFTと同程度の低コストプロセスでa-Si TFTより2けた電界効果移動度の大きいpoly-SiTFTを形成することを目的に高速走査Arレーザアニール法の研究を行っている.本論文では,(1)レーザアニール後の熱処理によるpoly-Si膜の改質はESRによるスピン密度の評価の結果400℃付近で最も効果が大きく,最高温度350℃のプロセスでも良好な特性のpoly-Si TFTが形成できる,(2)出発膜としてのa-Si膜はプラズマCVDにより製膜したものだけでなくLPCVDにより製膜したa-Si膜を用いても良好な特性のpoly-Si TFTを得ることができ,高速走査Arレーザアニール法に用いるa-Si膜の製膜にはより生産性のよい装置を選択できる,の2点について報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-05-25
著者
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