高抵抗MCZ基板を用いたMOS形センサーCCD撮像素子
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概要
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固体撮像素子において重要な特性であるブルーミング特性(スミア)と残像に注目して, 今回インターライン形CCDイメージャーで, 低スミア, かつ無残像の素子を試作した.シリコン基板として, 高抵抗MCZ(Magnetic-field-applied Czochralski method)の使用およびp形ウェルを導入することにより, スミアを1/5〜1/30に低減した.また受光部には薄いpoly Si電極を用いたMOS形センサーで高感度を損うことなく無残像を実現したことについて述べる.
- 1983-10-20
著者
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松本 博行
ソニー株式会社
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平田 芳美
ソニー
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浜崎 正治
ソニー
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竹下 光明
ソニー株式会社 厚木工場
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平田 芳美
ソニー株式会社厚木工場半導体事業本部研究部研究4課
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松井 拓道
ソニー株式会社 厚木工場
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松本 博行
ソニー
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浜崎 正治
ソニー株式会社 厚木工場
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