発光中心不純物を添加したGaN粉体の二段階気相合成(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
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概要
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二段階気相法の粒子成長過程において、不純物原料としてTb、Tm、ZnSを用い、これらをGaClと同時に供給することにより、GaN粉体へのTb、Tm、およびZnのドーピングを達成した。不純物濃度は、それぞれ6×10^<19>、4×10^<20>、1.5×10^<20>cm^<-3>であった。これらの試料のうち、GaN:TbはTb^<3+>イオンの内殻遷移によるフォトルミネッセンス(PL)を示した。GaN:Znについては、NH_3雰囲気中、1000℃でアニールを行うことにより、Znを発光中心とする青色のPLを示した。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2003-01-27
著者
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