発光中心不純物を添加したGaN粉体の二段階気相合成

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概要

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• 二段階気相法の粒子成長過程において、不純物原料としてTb、Tm、ZnSを用い、これらをGaClと同時に供給することによりGaN粉体へのTb、Tm、およびZnのドーピングを達成した。不純物濃度は、それぞれ6×10^<19>、4×10^<20>、1.5×10^<20>cm^<-3>であった。これらの試料のうち、GaN:TbはTb^<3+>イオンの内殻偏移によるフォトルミネッセンス(PL)を示した。GaN:Znについては、NH_3雰囲気中、1000℃でアニールを行うことにより、Znを発光中心とする青色のPLを示した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2003-01-20

著者

• 原 和彦

  東京工業大学 像情報工学研究施設

• 米村 淳

  東京工業大学像情報工学研究施設

• 奥山 絵里

  東京工業大学 像情報工学研究施設

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