水素によって誘起されるシリコン酸化膜中の欠陥生成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

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概要

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• 第一原理計算のポテンシャル形状を高精度に再現する力場ポテンシャル(Reax FF)を用いて分子動力学シミュレーションを行い、シリコン酸化膜への水素の影響について調べた。その結果、興味深い欠陥構造を新たに発見した。第一原理計算により構造を最適化し、電子構造を調べたところ、この欠陥は特殊な電子構造を持ち、極薄膜における絶縁破壊の原因として有望であることが分かった。

• 2005-09-29

著者

• 宮田 正靖

  セイコーエブソン研究開発本部

• ゴッダードiii ウィリアム

  カリフォルニア工科大学ベックマン研究所マテリアル・プロセスシミュレーションセンター

• ヴァン ドゥーイン

  カリフォルニア工科大学ベックマン研究所マテリアル・プロセスシミュレーションセンター

• タヒア ケリー

  カリフォルニア工科大学ベックマン研究所マテリアル・プロセスシミュレーションセンター

• 宮田 正靖

  セイコーエプソン株式会社研究開発本部テクノロジープラットフォーム研究所材料技術開発室

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