25pPSB-34 全電子混合基底法によるSi2p levelとSi/SiO_2界面構造の関係性(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
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概要
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- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 2002-03-01
著者
-
川添 良幸
東北大金研
-
佐藤 譲
セイコーエプソン
-
宮田 正靖
セイコーエブソン研究開発本部
-
大野 かおる
横国大工
-
森里 嗣生
東北大金研
-
上原 正光
セイコーエプソン
-
宮田 正靖
セイコーエプソン株式会社
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