1050nm帯InGaAs/GaAsP歪み補償単一量子井戸高信頼性・高出力半導体レーザ
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概要
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高速通信網の情報量増加に従い、基幹系通信波長帯域の拡大のためTDFAの実用化が期待されている。この励起光源として強歪みInGaAs活性層を有する1050nm帯半導体レーザの高信頼性及び高出力化が必要である。我々はGaAsP歪み補償層を有するInGaAs単一量子井戸半導体レーザを試作し、歪み補償による結晶の高品質化を検討した結果、最大光出力1000mW、基本横モード光出力400mWが確認できた。この素子は50℃、350mW(APC駆動)における2500時間以上の長期に安定駆動する信頼性を示した。また、発振波長1120nmにおいても3000時間以上安定に駆動することから、歪み補償により非常に高品質のInGaAs活性層が作成できていることが確認できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-28
著者
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秋永 富士夫
富士写真フイルム 宮台技術開発センター
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国安 利明
富士写真フイルム 宮台技術開発センター
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山中 英生
富士写真フイルム 宮台技術開発センター
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松本 研司
富士写真フイルム 宮台技術開発センター
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福永 敏明
富士写真フイルム 宮台技術開発センター
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早川 利郎
富士写真フイルム 宮台技術開発センター
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福永 敏明
富士写真フイルム(株)r&d統括本部 先進コア技術研究所
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早川 利郎
富士フイルム(株)r&d統括本部 先端コア技術研究所
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早川 利郎
富士写真フィルム(株) 宮台技術開発センター
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