広い光導波層を有する2W級InGaAsP/InGaP/AIGaAs高出力レーザ
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概要
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半導体レーザの高出力化には光損傷による端面破壊に達する光出力を向上させることが必要である。分離閉じこめヘテロ構造はガイド層を広げることで活性層内の光パワー密度を下げることができるため、半導体レーザの高出力化に大変有望である。しかしこれまでガイド層厚と素子特性との関係を系統的に調べた報告はされていない。本報告で我々はガイド層厚が素子特性、特に寿命特性に与える影響について調べるとともに、ガイド層厚の最適化を行なったので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-07-09
著者
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浅野 英樹
富士フイルム株式会社 先端コア技術研究所
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大郷 毅
富士フイルム株式会社 先端コア技術研究所
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国安 利明
富士写真フイルム 宮台技術開発センター
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山中 英生
富士写真フイルム 宮台技術開発センター
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福永 敏明
富士写真フイルム(株)r&d統括本部 先進コア技術研究所
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大郷 毅
(株)富士写真フィルム宮台技術開発センター
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和田 貢
(株)富士写真フィルム宮台技術開発センター
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山中 英生
(株)富士写真フィルム宮台技術開発センター
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浅野 英樹
(株)富士写真フィルム宮台技術開発センター
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国安 利明
(株)富士写真フィルム宮台技術開発センター
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福永 敏明
(株)富士写真フィルム宮台技術開発センター
-
早川 利郎
(株)富士写真フィルム宮台技術開発センター
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早川 利郎
富士フイルム(株)r&d統括本部 先端コア技術研究所
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