Alフリー高出力半導体レーザとその応用
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概要
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We report high-power technologies in 0.8μm Al-free InGaAsP/InGaP/AlGaAs laser diodes. To realize the high-power operation, the improvement of catastrophic optical mirror damage (COMD) power density level is required. In addition to the use of low surface recombination velocity of Al-free materials, optimization of waveguide thickness in broad waveguide strucuture with tensile-strained barriers and current blocking structure near facets has lead to high COMD power density level. Highly stable operation of Al-free laser diodes with these structures has been obtained over 2500 hours at 2W from a stripe width of 50μm. Applications of high power laser diodes are also described.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2005-02-01
著者
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大郷 毅
富士フイルム株式会社 先端コア技術研究所
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福永 敏明
富士写真フイルム 宮台技術開発センター
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早川 利郎
富士写真フイルム 宮台技術開発センター
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福永 敏明
富士写真フイルム(株)r&d統括本部 先進コア技術研究所
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大郷 毅
富士写真フイルム(株)R&D統括本部 先進コア技術研究所
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早川 利郎
富士フイルム(株)r&d統括本部 先端コア技術研究所
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早川 利郎
富士写真フィルム(株) 宮台技術開発センター
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