希土類金属薄膜の水素化・脱水素特性
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概要
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この研究では希土類金属の水素化・脱水素の過程を明らかにした。希土類金属は水素化によって金属相から絶縁体(半導体)相に相変態することが知られており、非常に興味深い物質である。今回の研究では希土類金属を薄膜化した試料を用いることにより水素化・脱水素の過程について調べた。試料には希土類金属としてYおよびLaを使用し、さらにその上にPdの酸化防止層を設けた膜を用いた。試料作製はスパッタリング法を用いて行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-02
著者
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山口 明
岩手大学大学院工学研究科
-
越後谷 淳一
岩手大学工学部附属金属材料保全工学研究センター
-
山口 明
岩手大学工学部材料物性工学科
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越後谷 淳一
岩手大学工学部マテリアル工学科
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前田 幹雄
岩手大学大学院工学研究科物質工学専攻
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